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Teoría de semiconductores

8552 Visitas Publicado en: 05/03/2020
Por Elkin fabian cedeno chala

TEORÍA DE SEMICONDUCTORES

Posiblemente has tenido contacto con teoría de átomos y electrones… es un mundo gigantesco de algo extremadamente diminuto jamás visto. 
Recordemos que atómicamente existe algo denominado “los electrones de valencia”  los cuales representa los electrones que se encuentran en el último nivel del átomo de un elemento, siendo comúnmente 1 para materiales conductores, 4 para semiconductores y 8 para aislantes.







Estos electrones forman enlaces con otros átomos, al no estar fuertemente unido al núcleo, pueden separarse del átomo por efecto de condiciones térmicas externas y de esta manera dar lugar a las propiedades eléctricas de los elementos.
La red de átomos tienden a completar sus ultimos nivel de energía completando 8 electrones compartidos “La ley del octeto”.




Los elementos semiconductores, como el Silicio (Si) por sí solo no se puede utilizar como elementos semiconductor, por tal razón se le deben introducir impurezas u otro elemento que le introduzca huecos o electrones al enlace, este proceso se llama dopaje.



Cuando un material no se encuentra dopado se le conoce como semiconductor intrínseco. Cuando es dopado con huecos se le conoce como Semiconductor Extrínseco tipo P y cuando es con electrones Semiconductor Extrínseco tipo N y es es la combinación de diferentes conductores lo que hace posible la creación de varios elementos electrónicos.




Polarización directa de unión P-N (Diodo)


Una unión de elementos semiconductores dopados P-N es la que conforma un diodo, recordemos que el elemento P es el dopado con huecos y el elemento N con electrones, de esta manera la polarización directa se debe hacer conectando el positivo de la fuente a la unión P llamado ánodo en el diodo y el negativo a la unión N o cátodo.








Si la fuente supera el voltaje de 0.7v en diodos rectificadores comunes, los electrones libres se juntaran en el medio al igual que los huecos, esto significa que la región de agotamiento se hará estrecha y los electrones libres pasarán y formarán un flujo de corriente.
 




Polarización inversa de unión P-N (Diodo)


Para el caso de la polarización inversa la fuente se colocará de manera invertida. 







En esta ocasión los huecos y los electrones serán atraídos al extremo del elemento y la región de agotamiento se cargará de iones positivos y negativos haciéndola más grande hasta llegar al mismo voltaje de la fuente siendo más difícil para los electrones establecer un flujo de corriente, en esta ocasión la corriente que fluye es despreciable.






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Etiquetas : Diodos, Puente de diodos, Rectificadores, Semiconductor, Silicio, VistronicaMaker
Publicado en: Comunidad Maker Colombia

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